AlN陶瓷基片是一种新型的基片材料，具有优异的电性能和热性能，被认为是最有发展前途的高导热陶瓷基片。AlN陶瓷具有高热导率（理论热导率280W/m^-1•k^-1）、低介电常数（约为8.8）、与Si相匹配的热膨胀系数（293K～773K，4.8×10^-6K^-1）、高电阻率（>10¹⁴Ω•cm）和高击穿场强（1.4×10⁷V/cm）、低比重 （理论密度3.26g/cm³）、高机械强度（抗弯强度300～ 400MPa）、无毒等特点，成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料，在国防、航空航天、通讯、微电子等领域内应用前景十分广阔。

本研究的目的是降低氮化铝陶瓷的生产成本，真正实现氮化铝陶瓷的产业化。目前国内企业大多采用毒性较高的有机物做为流延溶剂，价格昂贵，且AlN陶瓷的烧结温度在1800～1900℃，能耗较高。目前，流延成型大多都以有机物苯类或者酮类为溶剂，对环境污染较为严重，在生产过程中，对操作人员的危害也较大。在保证AlN陶瓷性能的前提下，本项目采用无毒溶剂完全或部分代替有毒溶剂，减少环境污染和危害，促进AlN陶瓷的产业化发展。结合凝胶注模和流延技术的优点，尝试利用新颖的凝胶流延工艺制备高致密度和均匀性好的AlN膜片，以达到降低烧结温度的目的。在凝胶流延技术中，单体和交联剂对浆料粘度的影响比流延工艺中粘结剂对浆料粘度的影响小，更有利于制备高固含量的浆料。AlN粉体和烧结助剂能够均匀的填充在有机单体和交联剂固化形成的三维网络结构中，不仅增加了AlN膜片的均匀性，而且在干燥过程中，利用三维网络结构的收缩，可提高AlN膜片的致密度，有效减少了AlN膜片的缺陷和变形，既能提高产品合格率，也可降低烧结温度，从而降低生产成本。

经过近五个月实验室研究，研究团队已经制备了固含量高、粘度低和稳定性好的AlN浆料，并分别利用流延成型技术、注凝成型技术和凝胶-流延成型技术制备了性能优越的AlN生坯。目前，研发团队正在探索无毒流延技术及AlN生坯的最佳排胶成型工艺，并对生坯产品进行监测评价。