项目意义：

传统上在半导体装置的制造工艺中，一般使用胶态二氧化硅系的研磨剂作为化学机械研磨剂以便把等离子体CVD（化学气相沉积）、低压CVD等方法形成的SiO₂绝缘膜等无机绝缘膜层进行表面研磨处理。然而，这种研磨剂的技术问题是无机绝缘膜的研磨速度不充分，实际使用该研磨剂时必须使用低研磨速度。但是，如果把液晶玻璃表面研磨使用的氧化铈研磨剂原样用于无机绝缘膜研磨，则由于其初级颗粒粒径大，在绝缘膜表面会造成肉眼可见的研磨划伤。

本项目旨在以前的铈基稀土研磨材料进行了改善，生产出研磨效率高、研磨性能优异的适用于半导体及无机绝缘膜研磨的电子级稀土研磨材料。消除了划痕。产品主要应用于大规模集成电路制造领域及SiO₂绝缘膜的表面处理。

研究内容：

1.原料的物相、粒度大小和分布，球磨过程中物料粒度的变化情况以及在搅拌球磨机内原料的粉碎机理。

2.氟化合成过程中发生的化学反应及其物相情况。

3.干燥过程不同阶段水分脱除速度的变化以及一小部分的相变情况。

4.焙烧过程中碳酸稀土的分解情况、氧化铈晶粒生长情况、二次再结晶情况、晶粒尺寸和形貌情况、原料与烧成品结构上的关联情况。

5.破碎的机理及从能量角度破碎持续进行的动力探讨。

6.分级机理的探讨。

主要指标：

化学成分：TREO≥95%，CeO₂/TREO≥98%

物理性能：一次颗粒平均粒径尺寸在10～50nm之间；

          二次颗粒D₅₀：0.5～1.0µm，Dmax≤5.5µm。