一、项目简介

近年来我国的微电子加工业得到迅猛发展，最新应用于微电子加工的光刻技术ArF光刻(193nm干式和浸没式)也得到了应用。我国的主要集成电路生产企业，如中芯国际等已经在利用ArF光刻进行45nm刻线的生产、部署ArF浸没式光刻进行32nm和22nm(20nm)分辨率的光刻生产，并在研讨利用ArF浸没式进行16（或14）-20nm分辨率光刻技术。利用ArF浸没式进行16（14）-20nm分辨率光刻的研发也是目前国际上各大集成电路公司研发的热点之一。在进行<20nm分辨率的光刻技术研发中，超高精细光刻胶的研发一定会成为重要的瓶颈。

二、技术先进性

传统上的光刻胶是基于高分子材料的，由于每一个高分子的体积比较大（即使紧密线团结构也大于5nm），将会对超高精细光刻产生限制，很难得到具有很小线边粗糙度的超高精细刻线，因而要想得到超高精细光刻分辨率将会十分困难，必须在材料设计中有新的思路。

中科院化学所杨国强研究员组织的研发团队在国家重大科技专项(02专项)的支持下,在实验室研发的新型用于极紫外光刻(EUVL)用的光刻胶，经过初步光刻实验，可以得到分辨率为16-32nm的光刻线条，并且线边粗糙度很小，为我国下一代的EUV光刻用光刻胶的研发打下了基础。有关EUV光刻胶的进一步研发工作仍在进行中。

三、应用领域及市场前景

随着我国微电子行业的高速发展，对高性能、高分辨率胶的需求将会越来越大。